Plus de 20 entreprises japonaises et américaines vont s'allier en matière de développement de la technologie pour aboutir à une production de masse d'une nouvelle génération de semi-conducteurs utilisant les mémoires MRAM, plus performantes et moins énergivores que les actuelles DRAM, écrit dimanche le quotidien économique japonais Nikkei.
Le géant américain Micron Technology et le Japonais Tokyo Electron conduiront le projet, espérant perfectionner la technologie d'ici trois ans et commencer une production de masse dès 2018, affirme le journal sans citer de sources.
À la différence de la mémoire RAM (Random Access Memory), la mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) n'utilise pas l'énergie électrique pour le stockage des données, mais l'énergie magnétique. Celle-ci est par conséquent non volatile, c'est-à-dire qu'elle ne perd pas les données lors de la mise hors tension de l'appareil.
Autres atouts de la mémoire de type MRAM: une densité assez importante, des performances élevées et une consommation énergétique faible.
Les capacités de stockage de la nouvelle technologie seraient dix fois plus élevées que celles des DRAM.
Selon le Nikkei, les autres participants au projet de recherche basé à l'Université Tohoku à Sandai, dans le nord du Japon, incluraient Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics et Hitachi.
Le Japonais Toshiba et le Sud-Coréen SK Hynix développent ensemble un projet de recherche séparé, tandis que le Sud-Coréen Samsung Electronics fait ses propres recherches sur la nouvelle puce, rappelle le journal.