Le groupe diversifié d'électronique japonais Toshiba va augmenter de 70% sa production de mémoires flash d'ici juin 2008 par rapport au niveau de mars dernier, notamment en accélérant la mise en route d'une quatrième usine au Japon, a indiqué mardi la presse japonaise.

Le groupe diversifié d'électronique japonais Toshiba va augmenter de 70% sa production de mémoires flash d'ici juin 2008 par rapport au niveau de mars dernier, notamment en accélérant la mise en route d'une quatrième usine au Japon, a indiqué mardi la presse japonaise.

«La troisième usine de mémoires flash de Toshiba tournera à plein régime à compter de cet automne, et la quatrième entrera en fonction entre octobre et décembre», a expliqué le quotidien économique Nikkei.

«Au total, le nombre de galettes de silicium produites mensuellement sera multiplié par 1,7 d'ici un an par rapport au niveau de mars», a-t-il précisé.

Toshiba, qui détient 30% du marché mondial de mémoires flash dites NAND, avait déjà officiellement fait part de ses projets en la matière, mais selon un échéancier plus lointain.

Le groupe, qui veut détrôner en 2008 le numéro un mondial du secteur, le sud-coréen Samsung, a en outre indiqué qu'il déciderait cette année de la construction ou non d'une cinquième usine après avoir porté au maximum les capacités des troisième et quatrième sites.

Le groupe, qui a choisi il y a plusieurs années d'investir massivement dans les mémoires flash, estime que la demande mesurée en capacité mémoire va croître à un rythme annuel de 130% entre 2006 et 2009, et de 24% en valeur.

Sur cartes amovibles ou intégrées, ce type de mémoire est massivement utilisée pour les appareils nomades (baladeurs, téléphones...).

La croissance fulgurante du marché, attendue par Toshiba, résulte aussi de la commercialisation d'ordinateurs portables équipés de mémoire flash à côté ou à la place du disque dur--un nouveau débouché très prometteur--.

Par ailleurs, Toshiba a annoncé mercredi avoir développé une nouvelle technologie qui permet de stocker davantage de données sur une puce de taille similaire grâce à des modifications de la structure d'enregistrement.

Ces nouvelles puces mémoires ne nécessitent pas de nouveaux procédés de production.